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IRLML2803
 型号:  IRLML2803
 标记/丝印/代码/打字:  L71W7
 厂家:  IR
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  06+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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IRLML2803 L71W7 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 4.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.045Ω/Ohm @4.3A,4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.60-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel Fast Switching
描述与应用 超低导通电阻 N沟道MOSFET SOT-23的脚印 薄型(高度<1.1mm) 可在磁带和卷轴 快速切换
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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