IRLML5103TR 1D/D 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
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| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-760mA/-0.76A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.60Ω @-600mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
540mW/0.54W |
| Description & Applications |
HEXFET POWER MOSFET dynamic avalanche rated surface mount straight lead available in tape&reel p-channel fast switching |
| 描述与应用 |
HEXFET功率MOSFET 动态额定雪崩 表面贴装 直导致 可在磁带和卷轴 p-沟道 快速切换 |
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