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IRLML5103TR
 型号:  IRLML5103TR
 标记/丝印/代码/打字:  1D/D
 厂家:  IR
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  3288
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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IRLML5103TR 1D/D 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -760mA/-0.76A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.60Ω @-600mA,-10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 540mW/0.54W
Description & Applications HEXFET POWER MOSFET dynamic avalanche rated surface mount straight lead available in tape&reel p-channel fast switching
描述与应用 HEXFET功率MOSFET 动态额定雪崩 表面贴装 直导致 可在磁带和卷轴 p-沟道 快速切换
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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