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型号: |
ISL9N306AD3ST |
标记/丝印/代码/打字: |
N306AD |
厂家: |
fairchild |
封装: |
TO-252/D-PAK |
批号: |
05+ |
库存数量: |
1100 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
技术文档PDF: |
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ISL9N306AD3ST N306AD 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
5A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.0052Ω/Ohm @250A,10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
1-3V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
125W |
Description & Applications |
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET? Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6m? General Description This device employs a new advanced trench MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switching frequencies. ? Fast switching |
描述与应用 |
N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET?沟槽功率MOSFET 30V,50A,6MΩ 概述 该设备采用了新的先进的沟槽MOSFET 的技术和功能,同时保持低的导通电阻低栅极电荷。 为开关应用进行了优化,该设备提高 DC/ DC转换器的整体效率,并允许以较高的开关频率的操作。 快速切换 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
ISL84544IH |
544 |
Intersil |
05+ |
SOT-163/SOT23-6 |
1500 |
集成电路ICIntegrated Circuit(IC)-开关ICSwitch IC-模拟开关Analog Switch |
查看 |
ISL84715IHZ |
CBB |
Intersil |
05+ |
SOT-353/SC70-5 |
0 |
集成电路ICIntegrated Circuit(IC)-开关ICSwitch IC-模拟开关Analog Switch |
查看 |
ISL9N306AD3ST |
N306AD |
fairchild |
05+ |
TO-252/D-PAK |
1100 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
ISL9N315AD3ST |
N315AD |
FAIRCHILD |
06+ |
TO-252/D-PAK |
1200 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
ISL84715IHZ-T |
CBB |
Intersil |
04+ROHS |
SOT-353/SC70-5 |
270 |
集成电路ICIntegrated Circuit(IC) |
查看 |
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