MCH5702-TL-E PC 的参数 |
| 三极管BJT类型
TYPE |
NPN |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1.5A |
| 三极管BJT截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
450MHz |
| 三极管BJT直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100mA |
| 三极管BJT管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
130~200mV |
| 二极管DIODE类型
TYPE |
肖特基-单管 SBD-Single |
| 二极管DIODE反向电压VR
Reverse Voltage |
30V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io
Rectified Current |
700mA |
| 二极管DIODE正向电压降VF
Forward Voltage(Vf) |
500mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
700mW |
| Description & Applications |
Features ? TR : NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor SBD : Schottky Barrier Diode ? DC/DC Converter Applications ? Composite type with an NPN transistor and a Schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting. ? The MCH5702 consists of two chips which are equivalent to the MCH6201 and the SBS006, respectively. ? Ultrasmall package (0.85mm high when mounted) facilitates miniaturization in end products. |
| 描述与应用 |
特点 ?TR：NPN平面外延硅晶体管 ?SBD：肖特基二极管 ?DC / DC转换器应用 ?复合型NPN晶体管和肖特基势垒二极管中包含一个包装促进高密度安装。 ?的MCH5702由两个芯片，以的MCH6201及SBS006是等价的，分别。 ?超小封装（0.85毫米高，安装时）有利于在终端产品的小型化。 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
