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MBT3946DW1T1G
 型号：  MBT3946DW1T1G
 标记/丝印/代码/打字：  46
 厂家：  ON
 封装：  SOT-363/SC-88
 批号：  05+
 库存数量：  12000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+NPN
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MBT3946DW1T1G 46 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -40V/60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -40V/40V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -200mA/200mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz/300MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 300
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage -400mV/300mV
耗散功率Pc Power Dissipation 150mW
Description & Applications Features ? Dual General Purpose Transistors ? hFE, 100?300 ? Low VCE(sat), ≤ 0.4 V ? Simplifies Circuit Design ? Reduces Board Space ? Reduces Component Count ? Available in 8 mm, 7?inch/3,000 Unit Tape and Reel ? Device Marking: MBT3946DW1T1 = 46 ? Pb?Free Package May be Available. The G?Suffix Denotes a Pb?Free Lead Finish
描述与应用 特点 ?双通用晶体管 ?HFE，100-300 ?低VCE（sat），≤0.4 V ?简化电路设计 ?缩小板级空间 ?减少元件数量 ?可在8毫米，7寸/3,000组带和卷轴 ?器件标识：MBT3946DW1T1= 46 ?无铅包装可能可用。 G-后缀表示一个Pb-Free无铅封装
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