MMJT9435T1 9435 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-45V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?30V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
110MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
220 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?550mV/-0.55V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1.56W |
| Description & Applications |
Bipolar Power Transistors PNP Silicon Features ? Pb?Free Packages are Available ? High DC Current Gain ? Low Collector ?Emitter Saturation Voltage ? SOT?223 Surface Mount Packaging |
| 描述与应用 |
双极功率晶体管PNP硅 特点 ?无铅包可用 ?高直流电流增益 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?SOT-223表面贴装包装 |
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