MPL1 L01 的参数 |
| 三极管BJT类型
TYPE |
PNP |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
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| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-20V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-100mA |
| 三极管BJT截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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| 三极管BJT直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
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| 三极管BJT管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-2V |
| 二极管DIODE类型
TYPE |
肖特基-单管 SBD-Single |
| 二极管DIODE反向电压VR
Reverse Voltage |
25V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io
Rectified Current |
500mA |
| 二极管DIODE正向电压降VF
Forward Voltage(Vf) |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW |
| Description & Applications |
Features ? contains Schotty barrier diode and transistor configured as DC/DC conveter to reduce mounting and assembly and component costs |
| 描述与应用 |
特点 ?包含如DC / DC变频式配置，以减少安装和装配和组件成本的肖特基势垒二极管和晶体管 |
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