MSB1218A BR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-45V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?100mA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
210~340 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
PNP silicon general purpose amplifier Transistor Feature High hFE Low VCE(sat) |
| 描述与应用 |
PNP硅通用晶体管放大器 特点 高HFE 低VCE（饱和） |
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