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MSB1218A
 型号：  MSB1218A
 标记/丝印/代码/打字：  BR
 厂家：  MOTOROLA
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  05+
 库存数量：  2500
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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MSB1218A BR 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -45V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?45V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?100mA/-0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 210~340
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage ?500mV/-0.5V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications PNP silicon general purpose amplifier Transistor Feature High hFE Low VCE(sat)
描述与应用 PNP硅通用晶体管放大器 特点 高HFE 低VCE（饱和）
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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