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NE32584C-T1
 型号:  NE32584C-T1
 标记/丝印/代码/打字:  D
 厂家:  NEC
 封装:  +
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MESFET-N沟道MESFET N-Channel
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NE32584C-T1 D 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 4V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -3V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 20mA-90mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.2V -- -2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 165mW/0.165W
Description & Applications HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER Super Low Noise Figure & High Associated Gain
描述与应用 异质结型场效应晶体管 C到Ku波段超低噪声放大器 超级低噪声系数和高相关的收益
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