NSL12AWT1 11X 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-12V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-290mV/-0.29V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
450mW/0.45W |
| Description & Applications |
High Current Surface Mount PNP Silicon Transistor for Battery Operated Applications Features: ? High Current Capability ? High Power Handling ? Low VCE(s) ? Small Size |
| 描述与应用 |
PNP硅晶体管适合电池供电应用 特点： ?高电流能力 ?高功率处理 ?低VCE（S） ?小尺寸 |
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