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型号： |
NTR1P02ELT1 |
| 标记/丝印/代码/打字： |
PE |
| 厂家： |
ON |
| 封装： |
SOT-23/SC-59 |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
510 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
| 技术文档PDF： |
暂时未能提供 |
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| 在线购买 |
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NTR1P02ELT1 PE 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.55Ω @-200mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.1--2.83 |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
225mW/0.225W |
| Description & Applications |
Features ? Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life RDSon = 0.80 , VGS = ?10 V RDSon = 1.10 , VGS = ?4.5 V ? Miniature SOT?23 Surface Mount Package Saves Board Space ? Pb?Free Package is Available |
| 描述与应用 |
?低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 的RDSon，VGS=0.80= -10 V 导通电阻RDSon= 1.10，VGS=-4.5 V ?微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 ?无铅包装是可用 |
| 技术文档PDF下载 |
暂时未能提供 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| NTR1P02ELT1 |
PE |
ON |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
510 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| NTR1P02LT1 |
P02 |
ON |
05+ROHS3.5K |
SOT-23/SC-59 |
5000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| NTR1P02T1 |
P2 |
ON |
08nopb |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| NTR1P02T1 |
P2 |
ON |
08+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
100 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| NTR1P02LT1 |
P02 |
ON |
05nopb |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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