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P01N02LMB
 型号:  P01N02LMB
 标记/丝印/代码/打字:  102B
 厂家:  NIKO-SEM
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  03+
 库存数量:  600
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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P01N02LMB 102B 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 15V
最大漏极电流Id Drain Current 1.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.22Ω/Ohm @1.2A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.7-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 600mW/0.6W
Description & Applications N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
描述与应用 N沟道逻辑电平增强 模式场效应晶体管
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