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P45N02LD
 型号:  P45N02LD
 标记/丝印/代码/打字:  P45N02LD
 厂家:  UTC
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  05+
 库存数量:  300
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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P45N02LD P45N02LD 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 45A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.022Ω/Ohm @5A,4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 90W
Description & Applications N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION As N-Channel power MOSFETs the UTP45N02 is designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers. 45A, 20V RDS(ON) = 0.022? Temperature compensating PSPICE model Be driven directly from CMOS, NMOS, and TTL circuits Peak current vs. pulse width curve
描述与应用 N沟道 增强模式 说明 由于N沟道功率MOSFET是专为UTP45N02 使用中的应用,如开关稳压器,开关 转换器,电机驱动器和继电器驱动器。 温度补偿的PSPICE型 直接驱动CMOS,NMOS,和TTL电路 峰值电流与脉冲宽度曲线
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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