PBSS5320D 52 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-400mV/-0.4V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
600mW/0.6W |
| Description & Applications |
20 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES ? Low collector-emitter saturation voltage ? High current capability ? Improved device reliability due to reduced heat generation APPLICATIONS ? Supply line switching circuits ? Battery management applications ? DC/DC converter applications ? Strobe flash units ? Heavy duty |
| 描述与应用 |
20伏的低VCE（sat）的PNP晶体管 特点 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?高电流能力 ?提高设备的可靠性，由于产生的热量减少 应用 ?供电线路开关电路 ?电池管理应用 ?DC / DC转换器应用 ?闪光灯单元 ?重载 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
