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热门查询： 全 SEIKO/ 台 EC04-1206SRC TC74V RN2102FS SC553ISKTR 02CZ9.1-X KDZ3.9V-RTK UP04213GOL
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PDTC114YE
 型号：  PDTC114YE
 标记/丝印/代码/打字：  33
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-523
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  600
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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PDTC114YE 33 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 0.212765957
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation 0.15W/150mW
Description & Applications FEATURES ? Built-in bias resistors ? Simplified circuit design ? Reduction of component count ? Reduced pick and place costs.
描述与应用 特性 ?内置偏置电阻 ?简化电路设计 ?减少元件数量 ?减少取放成本
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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