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PESD5V0S2UQ
 型号:  PESD5V0S2UQ
 标记/丝印/代码/打字:  E2
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-323/SOT663
 批号:  08NOPB
 库存数量:  0
 所属分类:  二极管Diodes
  瞬态抑制二极管(TVS)/(ESD)
    2 通道阵列2 Channel Array
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PESD5V0S2UQ E2 的参数

极性 Polarization 单向 Unidirectional
反向关断电压/工作电压VRWM Reverse Standoff Voltage 5V
反向击穿电压VBR Breakdown Voltage 6.4V
峰值脉冲耗散功率PPPM Peak Pulse Power Dissipation 150W
峰值脉冲电流IPPm Peak Forward Surge Current 15A
额定耗散功率Pd Power dissipation
Description & Applications Features ? Double ESD protection diodes in SOT663 package ? Uni-directional ESD protection of up to two lines ? Max. peak pulse power: Ppp = 150 W at tp = 8/20 μs ? Low clamping voltage: V(CL)R = 20 V at Ipp = 15 A ? Low reverse leakage current: IRM < 1 nA ? ESD protection > 30 kV ? IEC 61000-4-2; level 4 (ESD) ? IEC 61000-4-5 (surge); Ipp = 15 A at tp = 8/20 μs.
描述与应用 特性 ?在SOT663封装双ESD保护二极管 ?单向ESD保护可至双线 ?最大峰值脉冲功率:Ppp=150 W@tp= 8/20μs ?低钳位电压:V(CL)R =20 V在IPP= 15 A ?低反向漏电流:IRM<1 nA ?ESD保护>30千伏 ?IEC61000-4-2第4级(ESD) ?IEC61000-4-5(浪涌); IPP= 15 A@tp= 8/20μs
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