PHD66NQ03LT PHD66NQ03L 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
25V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
25V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
66A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
93W |
| Description & Applications |
TrenchMOS? Logic Level FET N-channel logic level ?eld-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Low on-state resistance Fast switching. |
| 描述与应用 |
TrenchMOS?逻辑电平FET N沟道逻辑电平场效应功率晶体管在一个塑料包装使用 的TrenchMOS?技术。 低通态电阻 快速切换 |
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