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PMBFJ113
 型号:  PMBFJ113
 标记/丝印/代码/打字:  P13
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-23/SC59
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  结型(JFET)-P沟道JFET P-Channel
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PMBFJ113 P13 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage ±40 V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -40 V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 2 mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -3.0~-0.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications N-channel junction FET PMBFJ113 General description Symmetrical N-channel junction FETs in a SOT23 package. Features and benefits High-speed switching Interchangeability of drain and source connections Low RDSon at zero gate voltage (< 30 ? for PMBFJ111). Applications Analog switches Commutators Multiplexers Thin and thick film hybrids.
描述与应用 N沟道结型场效应管 PMBFJ113 说明 对称N沟道结场效应晶体管采用SOT23封装。 特点 高速开关 漏极和源极连接的互换性 在零电压(<30?为PMBFJ111),低导通电阻。 应用 模拟开关 换向器 多路复用器 薄厚膜混合动力汽车。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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