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PMGD8000LN
 型号：  PMGD8000LN
 标记/丝印/代码/打字：  D8
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-363/SC70-6
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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PMGD8000LN D8 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 15V
最大漏极电流Id Drain Current 125mA/0.125A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 13?@ VGS =2.5V, ID =1mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8~1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Dual Trench MOS logic level FET Description Dual N-channel enhancement mode ?eld-effect transistor in a plastic package using Trench MOS technology. Features Trench MOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package Applications Battery management High-speed switch Low power DC-to-DC converter.
描述与应用 双沟槽MOS逻辑电平FET 描述 双N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 沟槽MOS的技术。 特点 沟槽MOS技术 开关速度非常快 逻辑电平兼容 超小型表面贴装封装 应用 电池管理 高速开关 低功率的DC-DC转换器。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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