PUMZ1 Ftz 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V/-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V/-40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/-100mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
200mV/-200mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW |
| Description & Applications |
Features ? NPN/PNP general purpose transistors ? Low current (max. 100 mA) ? Low voltage (max. 40 V) ? Reduces number of components and boardspace. APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN / PNP通用晶体管 ?低电流（最大100 mA） ?低电压（最大40 V） ?减少元件数量和电路板空间 应用 ?通用开关和放大 |
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