PXTA14 P1N 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-EmitterVoltage(VCEO) |
30V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
125MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
20000 @ 5V,0.1A |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
1.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
? High current (max. 0.5 A) ? Low voltage (max. 30 V) ? High input impedance preamplifiers. ? NPN Darlington transistor in a SOT89 plastic package. ? PNP complement: PXTA64 |
| 描述与应用 |
?高电流（最大0.5 A） ?低电压（最大30 V） ?高输入阻抗前置放大器。 ?NPN达林顿晶体管在SOT89塑料包装。 ?PNP补充：PXTA64。 |
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