QS5U13TR U13 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
N沟道 N-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
100m?@ VGS =4.5V, ID =2A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5~1.5V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
20V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
500mA/0.5A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.47V@IF=500mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
900mW/0.9W |
| Description & Applications |
2.5V Drive Nch+SBD MOS FET Features The QS5U13 combines Nch MOSFET with a Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. Low on-state resistance with fast switching. Low voltage drive (2.5V). The Independently connected Schottky barrier diode has low forward voltage. Applications Load switch, DC / DC conversion |
| 描述与应用 |
2.5V驱动N沟道+ SBD MOS FET 特点 QS5U13结合的N沟道MOSFET的在一个单一TSMT5包装的肖特基势垒二极管。 低通态电阻与快速切换。 低电压驱动（2.5V）。 独立连接的肖特基势垒二极管具有低正向电压。 应用 负载开关，DC/ DC转换 |
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