RT3CLLM CLL 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
6V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
150~800 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW |
| Description & Applications |
Features ?Compound Transistor For Low Frequency Amplify Application Silicon Npn Epitaxial Type ?Silicon NPN epitaxial type ?Each transistor elements are independent. ?Mini package for easy mounting APPLICATION ?For low frequency amplify application |
| 描述与应用 |
特点 ?复合晶体管低频放大应用硅NPN外延型 ?NPN硅外延型 ?每个晶体管的元素是独立的。 ?易于安装的小型封装 应用 ?对于低频放大应用 |
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