S-1170B33PD OTS 的参数 |
| 电路数量
Number of Regulators |
1 |
| 输入电压VIN
Voltage - Input |
0.3~7V |
| 输出电压VOUT
Voltage - Output |
3.3V |
| 输出电流Io
Current - Output |
300mA/0.3A |
| 最大压降VDO
Voltage - Dropout |
150mV/0.15V |
| 带使能脚EN/CE(ON/OFF功能)
With Enable Pin |
有 Yes |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
|
| Description & Applications |
HIGH RIPPLE-REJECTION AND LOW DROPOUT HIGH OUTPUT CURRENT CMOS VOLTAGE REGULATOR ;?Output voltage: 1.5 V to 5.5 V, selectable in 0.1 V steps. ? High-accuracy output voltage: ±1.0% ? Low dropout voltage: 120 mV typ. (3.0 V output product, IOUT = 300 mA) ? Low current consumption: During operation: 80 μA typ., 160 μA max. During shutdown: 0.1 μA typ., 1.0 μA max. ? High current capability: 800 mA output is possible (at VIN ≥ VOUT(S) + 1.0 V) ? Built-in ON/OFF circuit: Ensures long battery life. ? Low ESR capacitor can be used: A ceramic capacitor of 4.7 μF or more can be used for the output capacitor. ? High ripple rejection: 70 dB typ. (at 1.0 kHz) ? Built-in overcurrent protector: Overcurrent of output transistor can be restricted. ? Built-in thermal shutdown circuit: Damage caused by heat can be prevented. |
| 描述与应用 |
高纹波抑制率低压差 高输出电流CMOS电压稳压器;?输出电压：1.5 V至5.5 V，0.1 V步骤选择。 ?高输出电压精度：±1.0％ ?低压差电压：120 mV典型。 （3.0 V输出产品，IOUT= 300 mA时） ?低电流消耗：在操作过程中：80μA（典型值），最大160μA。 休眠时：0.1μA（典型值），1.0μA最大值。 ?高电流能力：800 mA输出是可能的（在VIN≥VOUT（S）+1.0 V） ?内置开/关控制电路，确保电池寿命长。 ?可以使用低ESR电容：4.7μF以上的陶瓷电容器可用于输出电容。 ?高纹波抑制：70 dB（典型值）。 （1.0千赫） ?内置过载电流保护：可以限制输出晶体管的过载电流。 ?内置热关断电路：由热所造成的损害是可以预防的。 |
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