S-1200B18-M5T1G POD 的参数 |
| 电路数量
Number of Regulators |
1 |
| 输入电压VIN
Voltage - Input |
0.3~12V |
| 输出电压VOUT
Voltage - Output |
1.8V |
| 输出电流Io
Current - Output |
100mA/0.1A |
| 最大压降VDO
Voltage - Dropout |
550mV/0.55V |
| 带使能脚EN/CE(ON/OFF功能)
With Enable Pin |
有 Yes |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
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| Description & Applications |
HIGH RIPPLE-REJECTION LOW DROPOUT LOW INPUT-AND-OUTPUT CAPACITANCE CMOS VOLTAGE REGULATOR ;?Output voltage: 1.5 V to 5.5 V, selectable in 0.1 V steps. ?Low ESR capacitor can be used: A ceramic capacitor of 0.1 μF or more can be used for the output capacitor. ?Wide input voltage range: 2.0 V to 10.0 V ?High-accuracy output voltage: ±1.0% ?Low dropout voltage: 140 mV typ. (3.0 V output product, IOUT = 100 mA) ?Low current consumption: During operation: 18 μA typ., 40 μA max. During shutdown: 0.01 μA typ., 1.0 μA max. ?Output current: 150 mA output is possible (@ VIN ≥ VOUT(S) + 1.0 V) ? High ripple rejection: 70 dB typ. (@ 1.0 kHz, 1.5 V ≤ VOUT ≤ 3.0 V) 65 dB typ. (@ 1.0 kHz, 3.1 V ≤ VOUT ≤ 5.5 V) ?Built-in overcurrent protector: Overcurrent of output transistor can be restricted. ?Built-in ON/OFF circuit: Ensures long battery life. |
| 描述与应用 |
高纹波抑制率低压差低输入和输出 电容CMOS电压稳压器;?输出电压：1.5 V至5.5 V，0.1 V步骤选择。 ?可以使用低ESR电容：0.1μF以上的陶瓷电容器可用于输出电容。 ?宽输入电压范围：2.0 V至10.0 V ?高输出电压精度：±1.0％ ?低压差电压：140 mV典型。 （3.0 V输出产品，IOUT= 100 mA时） ?低电流消耗：在操作过程中：18μA（典型值），最大40μA。 在关机：0.01μA（典型值），1.0μA最大值。 ?输出电流：150 mA输出是可能的（@ VIN≥VOUT（S）+1.0 V） ?高纹波抑制：70 dB（典型值）。 （@1.0千赫，1.5 V≤VOUT≤3.0 V） 65 dB（典型值）。 （@1.0千赫，3.1 V≤VOUT≤5.5 V） ?内置过载电流保护：可以限制输出晶体管的过载电流。 ?内置开/关控制电路，确保电池寿命长。 |
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