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SGM2016AN-T7
 型号:  SGM2016AN-T7
 标记/丝印/代码/打字:  MA
 厂家:  SONY
 封装:  SOT-343/M-281
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MESFET-N沟道MESFET N-Channel
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SGM2016AN-T7 MA 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 12V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -5V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 10mA-35mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications GaAs N-channel Dual Gate MES FET Description The SGM2016AM is an N-channel dual gate GaAs MES FET for UHF band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including TV tuners, cellular radios, and DBS IF amplifiers. UHF-band high-frequency amplifier, mixer, and oscillator Ultra-small package Low voltage operation Low noise High gain High stability Built-in gate protection diode
描述与应用 砷化镓N沟道双栅MES FET 描述 在该SGM2016AM是一个N沟道双栅砷化镓 MES 场效应管为UHF频段的低噪声放大。这FET是一个适用于广泛的应用,包括电视调谐器,移动设备和DBS中频放大器。 超高频波段高频放大器,混频器和振荡器 超小型封装 低电压操作 低噪音 高增益 高稳定性 内置栅极保护二极管
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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