SM2N7002E S72 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
250mA/0.25A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
3Ω/Ohm @250mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET Low Threshold Load Switch for Portable Devices Low Power Consumption Increased Battery Life ? Ultra Low Voltage Load Switch Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance High input impedance High speed switching |
| 描述与应用 |
1.2-V的N沟道MOSFET（G-S） 用于便携式设备的低阈值负荷开关 - 低功耗 - 延长电池寿命 ?超低电压负荷开关 先进沟道工艺技术 高密度电池设计超低导通电阻 高输入阻抗 高速开关 |
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