SMBTA56 2G 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-250mV/-0.25V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
330mW/0.33W |
| Description & Applications |
PNP Silicon AF Transistor ? Low collector-emitter saturation voltage ? Complementary type: SMBTA06 ? Pb-free ? Qualified according AEC Q101 |
| 描述与应用 |
PNP硅对焦晶体管 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?互补类型：SMBTA06 ?无铅 ?符合AEC Q101 |
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