SMF12.TC F12 的参数 |
| 极性
Polarization |
单向 Unidirectional |
| 反向关断电压/工作电压VRWM
Reverse Standoff Voltage |
12V |
| 反向击穿电压VBR
Breakdown Voltage |
13.3V |
| 峰值脉冲耗散功率PPPM
Peak Pulse Power Dissipation |
200W |
| 峰值脉冲电流IPPm
Peak Forward Surge Current |
8A |
| 额定耗散功率Pd
Power dissipation |
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| Description & Applications |
FEATURES ?TVS Diode Array For ESD and Latch-Up Protection ?Transient protection for data lines to IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV (air), ±8kV (contact) IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) ?Small package for use in portable electronics ? Protects four I/O lines ?Working voltage: 5V and 12V ?Low leakage current ?Low operating and clamping voltages ?Solid-state silicon-avalanche technology |
| 描述与应用 |
特点 ?TVS二极管阵列的ESD和闭锁保护?瞬态保护的数据线 IEC61000-4-2（ESD）±15kV（空气），±8kV（接触） IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns） ?小包装使用在便携式电子 ?保护四个I / O线 ?工作电压：5V和12V ?低漏电流 ?低工作电压和钳位 ?固态硅雪崩科技的 |
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