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型号： |
SSM3J15TE |
| 标记/丝印/代码/打字： |
DQ |
| 厂家： |
TOSHIBA |
| 封装： |
SOT-623/TESM |
| 批号： |
06+NOPB |
| 库存数量： |
4000 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
| 技术文档PDF： |
在线阅读  |
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| 在线购买 |
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SSM3J15TE DQ 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.1A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
6Ω @-10mA,-4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.6V-1.1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
High Speed Switching Applications Analog Switch Applications ? Small package ? Low on-resistance : Ron = 8 Ω (max) (@VGS = ?4 V) Ron = 12 Ω (max) (@VGS = ?2.5 V) |
| 描述与应用 |
高速开关应用 模拟开关应用 ?小型封装 ?低导通电阻：罗恩= 8Ω（最大）（@ VGS=-4 V） 罗恩= 12Ω（最大）（@ VGS=-2.5 V） |
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在线阅读 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SSM3J15FS |
DQ |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOT-523/SSM |
299850 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SSM3J15FV |
DQ |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOT-723/VESM |
226490 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SSM3J15TE |
DQ |
TOSHIBA |
06+NOPB |
SOT-623/TESM |
4000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SSM3J15FS |
DQ |
TOSHIBA |
12+rohs |
SOT-523/SSM |
49400 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SSM3J15F |
DQ |
TOSHIBA |
11+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
27000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SSM3J15FV |
DQ |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOT-723/VESM |
43000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SSM3J15FU |
DQ |
TOSHIBA |
11/12+ROHS |
SOT-323/SC70/UFM |
54000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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