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SSM5G09TU
 型号:  SSM5G09TU
 标记/丝印/代码/打字:  KEP
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SOT-353/SC70-5/UFV5
 批号:  07+ROHS
 库存数量:  5000
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET+DIODE
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SSM5G09TU KEP 的参数

MOSFET 类型 Type P沟道 P-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -8V
最大漏极电流Id Drain Current -1.5A
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance 200m?@ VGS = -2.5V, ID = -750mA
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.5~-1.1V
DIODE 类型 Type 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
反向电压Vr Reverse Voltage 12V
平均整流电流Io Average Rectified Current 500mA/0.5A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 0.37V@IF=500mA
耗散功率Pd Power Dissipation 800mW/0.8W
Description & Applications Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Planar Diode Feature DC-DC Converter ? Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package. ? Low RDS (ON) and Low VF
描述与应用 硅P沟道MOS类型(U-MOSII)/硅外延平面肖特基二极管 特点 DC-DC转换器 ?结合成一个封装的P沟道MOSFET和肖特基二极管。 ?低RDS(ON)和低VF
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