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SSM6L09FU
 型号：  SSM6L09FU
 标记/丝印/代码/打字：  K5
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-363/SC70-6/UF6
 批号：  06+ROHS
 库存数量：  17
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
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SSM6L09FU K5 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V/-30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V/20V
最大漏极电流Id Drain Current 400mA/-200mA
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 700m?@ VGS = 10V, ID = 200mA/ 2700m?@ VGS = -10V, ID =-100mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.1~1.8V/-1.1~-1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Small package Low on resistance Q1: Ron = 0.7 Ω (max) (@VGS = 10 V) Q2: Ron = 2.7 Ω (max) (@VGS = ?10 V)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N/ P沟道MOS类型 电源管理开关 高速开关应用 小型封装 低Q1阻力：RON =0.7Ω（最大）（@ VGS= 10 V） Q2：RON =2.7Ω（最大值）（@ VGS=-10 V）
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