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SSM6P05FU
 型号：  SSM6P05FU
 标记/丝印/代码/打字：  DH
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-363/SC70-6/UF6
 批号：  06+NOPB
 库存数量：  1150
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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SSM6P05FU DH 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -200mA/-0.2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 3300m?@ VGS = -4V, ID = -100mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.6~-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ●Power Management Switch ●High Speed Switching Applications ●Small package ● Low on resistance : Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = ?4 V) Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = ?2.5 V) Low gate threshold voltage
描述与应用 东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 ?●电源管理开关 ?●高速开关应用 ●小型封装 ●低导通电阻RON =3.3Ω（最大）（@ VGS=-4 V） RON =4.0Ω（最大值）（@ VGS=-2.5 V） 低栅极阈值电压
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