SSTA06 R1G 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
250mV/0.25V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Features ?NPN General Purpose Transistor ?BVCEO < 80V.( IC=1mA) ?Complements the SSTA56 / MMSTA56 / MPSA56 |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN通用晶体管 ?BVCEO<80V（IC=1MA） ?补充SSTA56/ MMSTA56，/ MPSA56 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
