ST194 MR 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
13V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
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| 最大漏极电流Id
Drain Current |
30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
8-14V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Silicon N_Channel MOSFET Tetrode ? Short-channel transistor with high S / C quality factor ? For low-noise, gain-controlled input stage up to 1 GHz ? Pb-free (RoHS compliant) package1) ? Qualified according AEC Q101 |
| 描述与应用 |
硅N_Channel MOSFET四极管 ?短沟道晶体管 与高S/ C质量的因素 ?对于低噪声，增益控制 输入级到1 GHz ?无铅（符合RoHS）包1） ?符合AEC Q101 |
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