STC918K F4 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
9Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
Features ? NPN Silicon Transistor ? High current transition frequency fT=9.0 GHz(Typ.) @VCE=6V, IC=15mA ? Low Noise Figure NFmin=1.4dB(Typ.) @1.0 GHz, VCE=8V, IC=3mA ? Maximum Stable Gain(MSG)=19dB @1.0 GHz, VCE=6V, IC=10mA ? Output third order intercept output(IP3)=29dBm @ 1.0 GHz,VCE=6V, IC=10mA |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅晶体管 ?高电流转换频率 ??????FT =9.0千兆赫（典型值）@ VCE=6V，IC工作电流= 15mA ?低噪声图 ??????的NFmin=1.4分贝（典型值）的1.0 GHz，VCE =8V，IC=3毫安 ?最大稳定增益（MSG）=19dB@1.0主频，VCE=6V，IC=10毫安 ?输出三阶截取（IP3）输出=29dBm@1.0主频，VCE=6V，IC=10毫安 |
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