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TBB1004DMTL
 型号:  TBB1004DMTL
 标记/丝印/代码/打字:  DM
 厂家:  HITACHI
 封装:  SOT-363/SC70-6/CMPAK-6
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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TBB1004DMTL DM 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 6V/6V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 6V/6V
最大漏极电流Id Drain Current 21mA/24mA
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance m?@ VGS = -V, ID = -mA
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage V
耗散功率Pd Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier Features ? Small SMD package CMPAK-6 built in twin BBFET; To reduce using parts cost & PC board space. ? Suitable for World Standard Tuner RF amplifier. ? Very useful for total tuner cost reduction. ? Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions. ? Provide mini mold packages; CMPAK-6
描述与应用 双床内置偏置电路MOS FET的IC VHF/ UHF射频放大器 特点 ?小SMD封装CMPAK-6内置双BBFET;要降低零部件的成本与PC板空间。 ?适用于世界标准调谐器RF放大器。 ?总的调谐器成本降低非常有用的。 ?耐ESD;内置ESD吸收二极管。承受高达200V在C = 200pF,Rs = 0条件。 ?提供微型模具包CMPAK-6
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