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TPC8212
 型号：  TPC8212
 标记/丝印/代码/打字：  TPC8212
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SM8
 批号：  04+
 库存数量：  114
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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TPC8212 TPC8212 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±20V
最大漏极电流Id Drain Current 6A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 16mΩ~21mΩ VGS = 10 V , ID = 3 A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.1V~2.3V VDS = 10 V, ID = 1 mA
耗散功率Pd Power Dissipation 0.75W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSIII) . * High-Efficiency DC/DC Converter Applications * Notebook PC Applications * Portable-Equipment Applications * Small footprint due to small and thin package * High-speed switching * Small gate charge: QSW = 5.5 nC (typ.) * Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 16 mΩ (typ.) * High forward transfer admittance: |Yfs| =14 S (typ.) * Low leakage current: IDSS = 10 ??A (max) (VDS = 30 V) * Enhancement mode: Vth = 1.1 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（超高速U-MOSIII），。 *高效率DC/ DC转换器应用 *笔记本电脑应用 *便携式设备应用 *由于占地面积小，小而薄的包装 *高速开关 *小门负责人：QSW= 5.5 NC（典型值） *低漏源导通电阻RDS（ON）= 16mΩ（典型值） *较强的正向转移导纳：| YFS|=14 S（典型值） *低漏电流IDSS= 10μA（最大）（VDS=30 V） *增强模式：VTH =1.1到2.3 V（VDS=10V，ID= 1 mA时）
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