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TPC8303
 型号:  TPC8303
 标记/丝印/代码/打字:  TPC8303
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SM8
 批号:  05+
 库存数量:  100
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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TPC8303 TPC8303 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±20V
最大漏极电流Id Drain Current -4.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 27mΩ~35mΩ VGS = ??10 V, ID = ??2.2 A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.8V~-2V VDS = ??10 V, ID = ??1 mA
耗散功率Pd Power Dissipation 0.75W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U??MOSII) . *Lithium Ion Battery Applications *Portable Equipment Applications *Notebook PCs * Low drain??source ON resistance : RDS (ON) = 27 mΩ (typ.) * High forward transfer admittance : |Yfs| = 7 S (typ.) * Low leakage current : IDSS = ??10 ??A (max) (VDS = ??30 V) * Enhancement??mode : Vth = ??0.8~ ??2.0 V (VDS = ??10 V, ID = ??1 mA)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型(U-MOSII)。 *锂离子电池的应用 *便携式设备的应用 *笔记本电脑 *低漏源导通电阻RDS(ON)= 27mΩ(典型值) *较强的正向转移导纳:| YFS|=7 S(典型值) *低漏电流:IDSS= -10μA(最大)(VDS=-30 V) *增强模式:VTH =-0.8??-2.0 V(VDS= -10 V,ID=-1毫安)
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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