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TPCP8J01
 型号：  TPCP8J01
 标记/丝印/代码/打字：  8J01
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  ps-8
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  14600
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    FET+BJT
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TPCP8J01 8J01 的参数
FET类型 Type MOSFET P-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -32V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -5.5A
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance 35m?@ VGS = -10V, ID = -3000mA
跨导 Forward Transfer Admittance 9.6s@VDS=-10V，Id=-3A
IDSS(Vgs=0V)
开启电压Vgs（th）/关断电压Vgs（off） Gate-Source Threshold/Cut-off Voltage -0.8~-2.0V
BJT 类型 Type NPN
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80
耗散功率Pd Power Dissipation 1060mW/1.06W
Description & Applications TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) /Silicon NPN Epitaxial Type Notebook PC Applications Portable Equipment Applications ? Lead(Pb)-Free ? Small mounting area due to small and thin package ? Low drain-source ON resistance: P Channel RDS (ON) = 27 mΩ (typ.) ? High forward transfer admittance: P Channel |Yfs| = 9.6 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = ?10 μA (VDS = ?32 V) ? Enhancement-mode: P Channel Vth = ?0.8 to ?2.0 V (VDS = ?10 V, ID = ?1 mA)
描述与应用 东芝多芯片器件硅P沟道MOS类型（U-MOSIV）/硅NPN外延型 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 ?小安装面积小而薄的包装 ?低漏源导通电阻P沟道的RDS（ON）= 27mΩ（典型值） ?高正向转移导纳：P通道| YFS|= 9.6 S（典型值） ?低漏电流IDSS=-10μA（VDS=-32 V） ?增强模式：P沟道Vth =-0.8到-2.0 V （VDS= -10 V，ID=-1毫安）
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