UMZ8N Z8 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-15V/60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-12V/50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-500mA/150mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
260MHz/180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
270~680/120~560 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-100mV/400mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW |
| Description & Applications |
Features ? Power management(dual transistors) ? Both a 2SA2018 chip and 2SC2412K chip in a EMT or UMT package. |
| 描述与应用 |
特点 ?电源管理（双晶体管） ?两个一个2SA2018芯片和2SC2412K芯片的一个EMT或UMT包。 |
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