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UNR522600L
 型号：  UNR522600L
 标记/丝印/代码/打字：  FY
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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UNR522600L FY 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 20V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 600mA/0.6A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 4.7KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.15W/150mW
Description & Applications Silicon NPN epitaxial planar type For muting ■ Features ? Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) optimum for the muting circuit ? The use with high current value is possible
描述与应用 NPN硅外延平面型 用于静音 ■特性 ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE 最佳的噪声抑制电路 ?高电流值的使用是可能的
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