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型号： |
UPA675T |
| 标记/丝印/代码/打字： |
SA |
| 厂家： |
NEC |
| 封装： |
SOT-363/SC70-6 |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
2500 |
| 所属分类： |
场效应管FET
复合场效应管Complex FET
MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
| 技术文档PDF： |
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UPA675T SA 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
16V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
7V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
12?@ VGS = 4V, ID = 10mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5~1.1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING DESCRIPTION The μ PA675T is an N-channel vertical MOS FET. Because it can be driven by a voltage as low as 1.5 V and it is not necessary to consider a drive current, this FET is ideal as an actuator for low-current portable systems such as headphone stereos and video cameras. FEATURES ? Two MOS FET circuits in package the same size as SC-70 ? Automatic mounting supported ? Gate can be driven by a 1.5 V power source ? Because of its high input impedance, there’s no need to consider a drive current ? Since bias resistance can be omitted, the number of components required can be reduced |
| 描述与应用 |
N沟道MOS场效应晶体管 用于高速开关 说明 μPA675T是一个N沟道垂直MOS FET。因为它 可以由低至1.5 V的电压，这是不 必要考虑驱动电流，这FET是理想的作为 执行器的低电流的便携式系统，如耳机 音响和摄像机。 特点 ?两个MOS FET的软件包电路SC-70相同的尺寸 ?支持自动安装 ?门可以由一个1.5 V电源 ?由于其高输入阻抗，有没有必要考虑驱动电流 自偏压电阻可以省略，数量组件可以减少所需要 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| UPA670T |
KA |
NEC |
05+ |
SOT-363 |
7400 |
场效应管FET-其它Other |
查看 |
| UPA671T |
LA |
NEC |
05+ |
SOT-363/SC-88 |
0 |
三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合三极管Complex Bipolar Transistor-PNP+PNP |
查看 |
| UPA671T |
LA |
NEC |
05+ |
SOT-363/SC-88 |
12900 |
三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合三极管Complex Bipolar Transistor-PNP+PNP |
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| UPA672T |
MA |
NEC |
05+nopb |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| UPA673T |
QA |
NEC |
05+ |
SOT-363/SC-88 |
988000 |
三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合三极管Complex Bipolar Transistor-NPN+NPN |
查看 |
| UPA674T |
RA |
NEC |
05+ |
SOT-363 |
0 |
场效应管FET-其它Other |
查看 |
| UPA675T |
SA |
NEC |
05+ |
SOT-363/SC70-6 |
2500 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| UPA679TB |
YA |
NEC |
06NOPB |
SOT-363/SC70-6 |
490 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel |
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| UPA679TB-T1 |
YA |
NEC |
04+ |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel |
查看 |
| UPA673T |
QA |
NEC |
05+ |
SOT-363/SC-88 |
51000 |
三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) |
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