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UPA803T
 型号:  UPA803T
 标记/丝印/代码/打字:  T73
 厂家:  NEC
 封装:  SOT-363/SC-88
 批号:  05+
 库存数量:  1800
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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UPA803T T73 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 12V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 30mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 5500MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 60~200
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 500mV
耗散功率Pc Power Dissipation 160mW
Description & Applications Features ? SILICON TRANSISTOR ? High fT fT = 5.5 GHz TYP. (@VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz) ? Small Collector Capacitance Cob = 0.7 pF TYP. (@VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz) ? A Surface Mounting Package Adopted ? Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4570) ? NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD
描述与应用 特点 ?硅晶体管 ?高FT FT=5.5 GHz的TYP。 (@ VCE= 5 V,IC =5毫安,F =1千兆赫) ?集电极小电容 科夫=0.7 pF的TYP。 (VCB=5 V,IE=0时,F =1兆赫) ?一个采用表面贴装封装, ?内置2晶体管(2×2SC4570) ?NPN硅外延晶体管(带内置2个元素)MINI模具
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