UPA851TD-T3-A VH 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
5V/15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
3V/5V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
30mA/100mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
12000MHz/6500MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
110/112 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
210mW |
| Description & Applications |
Features ? NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS) IN A 6-PIN LEAD-LESS MINI MOLD ? Low voltage operation ? 2 different built-in transistors (2SC5737, 2SC5736) Q1: Low noise transistor NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz Q2: Low phase distortion transistor suited for OSC applications fT = 5.0 GHz TYP., ?S21e?2 = 4.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz ? 6-pin lead-less mini mold package |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅RF晶体管（带2个不同的元素）于一个6针引线迷你模具 ?低电压工作 ?2个不同的内置晶体管（2SC5737，2SC5736） Q1：低噪声晶体管NF= 1.5 dB典型值。 @ VCE= 1 V，IC =3毫安，F =2吉赫 Q2：低相位失真晶体管适合OSC的应用 FT =5.0 GHz的典型。?S21E?2= 4.5 dB典型值。 @ VCE= 1 V，IC= 5毫安，F =2吉赫 ?6针引线小型模具包 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
