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VN2110K1
 型号:  VN2110K1
 标记/丝印/代码/打字:  N1AD
 厂家:  Supertexinc
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  680
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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VN2110K1 N1AD 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 4.0 @500mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.8-2.4V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications Commercial and Military versions available Free from secondary breakdown Low power drive requirement Ease of paralleling Low CISS and fast switching speeds High input impedance and high gain
描述与应用 商用和军用版本 无二次击穿 低功率驱动器的要求 易于并联 低连续供墨系统 和快速开关速度 高输入阻抗,高增益
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