XN09D6100L RA 的参数 |
| 三极管BJT类型
TYPE |
PNP |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-15V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-15V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1.5A |
| 三极管BJT截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
270MHz |
| 三极管BJT直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
-100mA |
| 三极管BJT管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-90~-200mV |
| 二极管DIODE类型
TYPE |
肖特基-单管 SBD-Single |
| 二极管DIODE反向电压VR
Reverse Voltage |
20V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io
Rectified Current |
700mA |
| 二极管DIODE正向电压降VF
Forward Voltage(Vf) |
450mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
600mW |
| Description & Applications |
Features ? Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD) ? Two elements incorporated into one package (Tr + SBD) ? Reduction of the mounting area and assembly cost by one half ? Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Applications ? For DC-DC converter |
| 描述与应用 |
特点 ?PNP硅外延平面型（TR）硅外延平面型（SBD） ?两个要素纳入一个封装（TR + SBD） ?减少安装面积和装配成本的一半 ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE（sat） 应用 ?对于DC-DC转换器 |
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