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TPCF8402
 型号：  TPCF8402
 标记/丝印/代码/打字：  f6b
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  1206-8/vs-8
 批号：  05+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
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TPCF8402 f6b 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V/-30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V/20V
最大漏极电流Id Drain Current 4A/-3.2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 72m?@ VGS = -10V, ID = -1600mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.8~-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 530mW/0.53W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P, N Channel MOS Type (U-MOS IV / U-MOS III) Portable Equipment Applications Motor Drive Applications DC-DC Converter Applications ? Low drain-source ON resistance : P Channel RDS (ON) = 60 mΩ (typ.) N Channel RDS (ON) = 38 mΩ (typ.) ? High forward transfer admittance : P Channel |Yfs| = 5.9 S (typ.) N Channel |Yfs| = 6.8 S (typ.) ? Low leakage current : P Channel IDSS = ?10 μA (VDS = ?30 V) N Channel IDSS = 10 μA (VDS = 30 V) ? Enhancement-mode : P Channel Vth = ?0.8 to ?2.0 V (VDS = ?10 V, ID = ?1mA) N Channel Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1mA)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅P，N沟道MOS型（U-MOS IV/ U-MOS III） 便携式设备的应用 电机驱动应用 DC-DC转换器应用 ?低漏源导通电阻：P通道的RDS（ON）= 60mΩ（典型值） N沟道的RDS（ON）=38mΩ（典型值） ?高正向转移导纳：P通道| YFS|= 5.9 S（典型值） N沟道YFS| =6.8 S（典型值） ?低漏电流：P沟道IDSS= -10μA（VDS=-30 V） N沟道IDSS=10μA（VDS=30 V） ?增强模式 ：P沟道Vth= -0.8到-2.0 V（VDS= -10 V，ID=-1MA） N沟道Vth =1.3?2.5 V（VDS=10V，ID=1毫安）
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