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BF990A
 型号：  BF990A
 标记/丝印/代码/打字：  M87
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-143
 批号：  04+
 库存数量：  4080
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BF990A M87 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 18V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-channel dual-gate MOS-FET Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 microminiature package with interconnected source and substrate. FEATURES ? Protected against excessive input voltage surges by integrated diodes between gates and source. APPLICATIONS ? RF applications such as: – Television tuners with 12 V supply voltage – Professional communication equipment. DESCRIPTION Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 microminiature package with interconnected source and substrate.
描述与应用 N沟道双栅MOS-FET 耗尽型场效应晶体管在一个塑料SOT143 超小型封装，相互连接的源和衬底 特点 ?防止过高的输入电压浪涌门和源之间的集成二极管。 应用 ?射频应用，如： - 电视调谐器与12 V电源电压 - 专业的通信设备。 说明 SOT143超小型封装在一个塑料带相互连接的源极和衬底的耗尽型场效应晶体管。
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