2SK2491 K2491 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
180V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
30V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
4A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.08Ω/Ohm @10A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
2-4V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
70W |
| Description & Applications |
Small switching (60V, 2A) Silicon N-channel MOSFET Features N-Channel Enhancement type Input capacitance(Ciss) is small. Especially,input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small The switching time is fast |
| 描述与应用 |
小开关（60V，2A） 硅N沟道MOSFET 特性 N沟道增强型 输入电容（CISS）是很小的。 特别，输入电容在0 预偏电阻很小。 静态的Rds（on）很小 开关时间快 |
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